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O plasma da fornalha de tubo do vácuo 1200℃ aumentou a fornalha de LPCVD com bomba de vácuo

O plasma da fornalha de tubo do vácuo 1200℃ aumentou a fornalha de LPCVD com bomba de vácuo

  • O plasma da fornalha de tubo do vácuo 1200℃ aumentou a fornalha de LPCVD com bomba de vácuo
O plasma da fornalha de tubo do vácuo 1200℃ aumentou a fornalha de LPCVD com bomba de vácuo
Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Brother Furnace
Certificação: CE
Número do modelo: BR-PECVD
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1 conjunto
Preço: Negotiation
Detalhes da embalagem: Caixa de madeira forte para o transporte global
Tempo de entrega: 7-21 dias de trabalho
Termos de pagamento: L / C, T / T, Western Union
Habilidade da fonte: 200 grupos pelo mês
Contato
Descrição de produto detalhada
Temperatura máxima: 1200℃ Vácuo normal: -0.1Mpa
Vácuo máximo: Bomba molecular da configuração, Pa do vácuo 7x10-4 (opcional) Flange: flange de aço inoxidável da selagem 304
Proteção de temperatura excessiva: sem energia automático quando a temperatura exceder o valor ajustado permissível Proteção da segurança: Automaticamente sem energia quando o corpo da fornalha escapar
Estrutura da fornalha: ventilador de refrigeração duplo de aço da dupla camada, temperatura de superfície abaixo de 50℃ TAXA DE AQUECIMENTO DO MAX: 20°C /min
Precisão da temperatura: ±1℃ Uniformidade da temperatura: ±5℃
Controle de temperatura: 50 segmentos programáveis e auto controle Tubo de fornalha: Tubo de quartzo
Aplicação: O plasma aumentou LPCVD
Realçar:

fornalha de tubo de gerencio

,

fornalha de tubo de quartzo

O plasma 1200℃ aumentou a fornalha de LPCVD com bomba de vácuo
 
Introdução inteligente de LPCVD:
O sistema de PECVD é projetado diminuir a temperatura da reação do CVD tradicional. Instalou o equipamento da indução do RF na frente do CVD tradicional para ionizar a reação do gás, assim que o plasma é gerado. A atividade alta do plasma é reação é acelerado devido à atividade alta do plasma. Assim, este sistema é chamado PECVD.
Este modelo é o produto o mais novo, sintetizou as vantagens da maioria de sistemas do tubo PECVD, e adicionou uma zona pré-aquecendo na parte dianteira do sistema de PECVD. Os testes mostraram que a velocidade do depósito é mais rápida, a qualidade do filme são melhores, os furos são menos, e não se racharão. O sistema de controlo inteligente totalmente automático de AISO é projetado independentemente por nossa empresa, é mais conveniente operar-se e sua função é mais poderosa.
Escala larga da aplicação: metal o filme, filme cerâmico, filme composto, o crescimento contínuo de vários filmes. Fácil aumentar a função, pode expandir gravura em àgua forte da limpeza do plasma e outras funções
 
 
Característica principal:

  • Taxa de depósito alta do filme: A tecnologia do fulgor do RF, aumentando extremamente a taxa de depósito do filme, a taxa de depósito pode alcançar 10Å/S
     
  • Uniformidade alta da área: A tecnologia de alimentação do RF do multi-ponto avançado, a distribuição especial do trajeto do gás, e a tecnologia de aquecimento, etc., fazem o alcance 8% do índice da uniformidade do filme
     
  • Consistência alta: usando o conceito de projeto avançado da indústria do semicondutor, o desvio entre as carcaças de um depósito é menos de 2%
     
  • Estabilidade alta do processo: O equipamento altamente estável assegura um processo contínuo e estável


 
Sobressalentes do padrão:

  • Obstruindo PCes do tubo 4
  • PC do tubo de fornalha 1
  • PC da bomba de vácuo 1
  • Grupos da flange 2 da selagem do vácuo
  • PC do calibre de vácuo 1
  • Bomba da entrega & de vácuo do gás
  • Equipamento do plasma do RF

 
Sobressalentes opcionais:
 

  • Flange da liberação rápida, flange tripartido
  • 7 seixos do toque da polegada HD

 
 
 
Especificação padrão rachada de fornalha de tubo do laboratório PECVD:
 

1. Sistema de aquecimento
Max.temperature 1200℃ (1 hora)
Temperatura de trabalho ≤1100℃
Tamanho da câmara Φ100*1650mm (o diamater do tubo é customizável)
Material da câmara Placa de fibra da alumina da pureza alta
Par termoelétrico Tipo de K
Temperatureaccuracy ±1℃
Controle de temperatura

segmentos programáveis do ● 50 para o controle preciso da taxa de aquecimento, da velocidade de arrefecimento e do tempo de interrupção.

● construído na função do Auto-acordo do PID com proteção quebrada par termoelétrico de superaquecimento & quebrada.

Sistema de controlo automático do PLC do ● pelo controlador do PC para dentro.

O ● o sistema de controlo da temperatura, deslizando o sistema (tempo e distância) poderia ser controlado pelo programa.

Comprimento do aquecimento 440mm
Comprimento constante do aquecimento 200mm
Elemento de aquecimento Fio de resistência
Fonte de alimentação Fase monofásica, 220V, 50Hz
Poder avaliado 9kW
2. Fonte do plasma do RF
Frequência do RF 13,56 MHz±0.005%
Potência de saída 500W
Máximo reflita o poder 500W
O RF output a relação 50 Ω, N-tipo, fêmea
Estabilidade do poder ±0.1%
Componente de harmônico ≤-50dbc
Tensão de fonte/frequência Fase monofásica AC220V 50/60HZ
Eficiência inteira >=70%
Fator de poder >=90%
Método refrigerando Forçado - ar
3. Sistema de controlo maciço de três medidores de fluxo da precisão
Dimensão externo 600x600x650mm
Tipo do conector Junção de Swagelok SS
Escala padrão (N2) 0~100sccm, 0~200sccm, ou customizável
Precisão ±1.5%
Linear ±0.5~1.5%
Repetibilidade ±0.2%
Tempo de resposta

Propriedade do gás: Segundo 1~4;
Propriedade elétrica: Segundo 10

Amplitude da pressão 0.1~0.5 MPa
Max.pressure 3MPa
Relação Φ6,1/4”
Exposição exposição de 4 dígitos
Temperatura ambiental gás da pureza 5~45 alta
Calibre de pressão - 0.1~0.15 MPa, 0,01 MPa/unidade
Pare a válvula Φ6
Lustre o tubo dos SS Φ6
Baixo sistema do vácuo incluído
 

 
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