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Flange de aço inoxidável da selagem da fornalha de tubo 304 do laboratório de PECVD com entrega do gás

Flange de aço inoxidável da selagem da fornalha de tubo 304 do laboratório de PECVD com entrega do gás

    • PECVD Laboratory Tube Furnace 304 Stainless Steel Sealing Flange With Gas Delivery
  • PECVD Laboratory Tube Furnace 304 Stainless Steel Sealing Flange With Gas Delivery

    Detalhes do produto:

    Lugar de origem: China
    Marca: Brother Furnace
    Certificação: CE
    Número do modelo: BR-PECVD

    Condições de Pagamento e Envio:

    Quantidade de ordem mínima: 1 conjunto
    Preço: Negotiation
    Detalhes da embalagem: Caixa de madeira forte para o transporte global
    Tempo de entrega: 7-21 dias de trabalho
    Termos de pagamento: L / C, T / T, Western Union
    Habilidade da fonte: 200 grupos pelo mês
    Contato
    Descrição de produto detalhada
    Temperatura máxima: 1200℃ Vácuo normal: -0.1Mpa
    Vácuo máximo: Bomba molecular da configuração, Pa do vácuo 7x10-4 (opcional) Flange: flange de aço inoxidável da selagem 304
    Proteção de temperatura excessiva: sem energia automático quando a temperatura exceder o valor ajustado permissível Proteção da segurança: Automaticamente sem energia quando o corpo da fornalha escapar
    Estrutura da fornalha: ventilador de refrigeração duplo de aço da dupla camada, temperatura de superfície abaixo de 50℃ TAXA DE AQUECIMENTO DO MAX: 20°C /min
    Precisão da temperatura: ±1℃ Uniformidade da temperatura: ±5℃
    Controle de temperatura: 50 segmentos programáveis e auto controle Tubo de fornalha: Tubo de quartzo
    Aplicação: PECVD
    Realçar:

    rotating tube furnace

    ,

    quartz tube furnace

    fornalha de 1200C Máximo Laboratório PECVD Tubo com a bomba da entrega & de vácuo do gás
     
     
    Introdução inteligente de PECVD:
    O sistema de PECVD é projetado diminuir a temperatura da reação do CVD tradicional. Instalou o equipamento da indução do RF na frente do CVD tradicional para ionizar a reação do gás, assim que o plasma é gerado. A atividade alta do plasma é reação é acelerado devido à atividade alta do plasma. Assim, este sistema é chamado PECVD.
    Este modelo é o produto o mais novo, sintetizou as vantagens da maioria de sistema do tubo PECVD, e adicionou pré-aquecer a zona na parte dianteira do sistema de PECVD. Os testes mostraram que a velocidade do depósito é mais rápida, qualidade do filme são melhores, os furos são menos, e não se racharão. O sistema de controlo inteligente totalmente automático de AISO é projetado independentemente por nossa empresa, é mais conveniente operar-se e sua função é mais poderosa.
    Escala larga da aplicação: metal o filme, filme cerâmico, filme composto, crescimento contínuo de vários filmes. Fácil aumentar a função, pode expandir gravura em àgua forte da limpeza do plasma e outras funções
     
     
    Característica principal:
     

    • Taxa de depósito alta do filme: A tecnologia do fulgor do RF, aumentando extremamente a taxa de depósito do filme, a taxa de depósito pode alcançar 10Å/S
       
    • Uniformidade alta da área: A tecnologia de alimentação do RF do multi-ponto avançado, a distribuição do trajeto do gás e a tecnologia de aquecimento especial, etc., fazem o alcance 8% do índice da uniformidade do filme
       
    • Consistência alta: usando o conceito de projeto avançado da indústria do semicondutor, o desvio entre as carcaças de um depósito é menos de 2%
       
    • Estabilidade alta do processo: O equipamento altamente estável assegura o processo contínuo e estável

     
     
    Sobressalentes do padrão:

    • Obstruindo PCes do tubo 4
    • PC do tubo de fornalha 1
    • PC da bomba de vácuo 1
    • Grupos da flange 2 da selagem do vácuo
    • PC do calibre de vácuo 1
    • Bomba da entrega & de vácuo do gás
    • Equipamento do plasma do RF

     
    Sobressalentes opcionais:
     

    • Flange da liberação rápida, flange tripartido
    • 7 seixos do toque da polegada HD

     
     
     
    Especificação padrão de fornalha de tubo de 1200℃ PECVD:
     

    1. Sistema de aquecimento
    Max.temperature 1200℃ (1 hora)
    Temperatura de trabalho ≤1100℃
    Tamanho da câmara Φ100*1650mm (o diamater do tubo é customizável)
    Material da câmara Placa de fibra da alumina da pureza alta
    Par termoelétrico Tipo de K
    Temperatureaccuracy ±1℃
    Controle de temperatura

    segmentos programáveis do ● 50 para o controle preciso da taxa de aquecimento, da velocidade de arrefecimento e do tempo de interrupção.

    ● construído na função do Auto-acordo do PID com proteção quebrada par termoelétrico de superaquecimento & quebrada.

    Sistema de controlo automático do PLC do ● pelo controlador do PC para dentro.

    O ● o sistema de controlo da temperatura, deslizando o sistema (tempo e distância) poderia ser controlado pelo programa.

    Comprimento do aquecimento 440mm
    Comprimento constante do aquecimento 200mm
    Elemento de aquecimento Fio de resistência
    Fonte de alimentação Fase monofásica, 220V, 50Hz
    Poder avaliado 9kW
    2. Fonte do plasma do RF
    Frequência do RF 13,56 MHz±0.005%
    Potência de saída 500W
    Máximo reflita o poder 500W
    O RF output a relação 50 Ω, N-tipo, fêmea
    Estabilidade do poder ±0.1%
    Componente de harmônico ≤-50dbc
    Tensão de fonte/frequência Fase monofásica AC220V 50/60HZ
    Eficiência inteira >=70%
    Fator de poder >=90%
    Método refrigerando Forçado - ar
    3. Sistema de controlo maciço de três medidores de fluxo da precisão
    Dimensão externo 600x600x650mm
    Tipo do conector Junção de Swagelok SS
    Escala padrão (N2) 0~100sccm, 0~200sccm, ou customizável
    Precisão ±1.5%
    Linear ±0.5~1.5%
    Repetibilidade ±0.2%
    Tempo de resposta

    Propriedade do gás: Segundo 1~4;
    Propriedade elétrica: Segundo 10

    Amplitude da pressão 0.1~0.5 MPa
    Max.pressure 3MPa
    Relação Φ6,1/4”
    Exposição exposição de 4 dígitos
    Temperatura ambiental gás da pureza 5~45 alta
    Calibre de pressão - 0.1~0.15 MPa, 0,01 MPa/unidade
    Pare a válvula Φ6
    Lustre o tubo dos SS Φ6
    Baixo sistema do vácuo incluído
     

     
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